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<p>Eine EUV-Lichtquelle (2) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die EUV-Projektionslithographie hat eine erste Elektronenstrahl-Einrichtung in Form einer Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung (2a). Zur Lichtquelle (2) gehört weiterhin eine EUV-Generationseinrichtung (2b), die über die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung (2a) mit einem Elektronenstrahl (14) versorgt wird. Weiterhin hat die Lichtquelle (2) eine zweite Elektronenstrahl-Einrichtung in Form einer Elektronenstrahl-Entsorgungseinrichtung (2c), die einen Elektronenstrahl (15) im Strahlengang nach der EUV-Generationseinrichtung (2b) entsorgt. Zumindest eine der Elektronenstrahl-Einrichtungen (2a, 2c) einerseits und die EUV-Generationseinrichtung (2b) andererseits sind in übereinanderliegenden Räumen (16, 17) angeordnet, die durch eine Gebäudedecke (18) voneinander getrennt sind. In der Gebäudedecke (18) ist mindestens eine Elektronenstrahl-Durchführung (19a, 19b) angeordnet. Es resultiert eine elektronenstrahlbasierte EUV-Strahlungsquelle mit der Möglichkeit eines handhabbaren Betriebsaufwandes.</p> |
