用于MOS晶体管的设备和方法

摘要

本发明涉及了一种MOS晶体管，其包括第一导电性的衬底、形成在该衬底上方的第一导电性的第一区域、形成在第一区域中的第一导电性的第二区域、形成在第二区域中的第二导电性的第一漏极/源极区域、第二导电性的第二漏极/源极区域、以及第一导电性的主体接触区域，其中，从上向下看去，该主体接触区域和第一漏极/源极区域以交替的方式形成。本发明还提供了一种用于MOS晶体管的设备和方法。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电性的衬底；所述第一导电性的第一区域，形成在所述衬底上方；所述第一导电性的第二区域，形成在所述第一区域中，其中，所述第二区域的掺杂密度高于所述第一区域的掺杂密度；第二导电性的第一漏极/源极区域，形成在所述第二区域中；所述第二导电性的第二漏极/源极区域，形成在所述衬底中并且远离所述第一源极/漏极区域；以及所述第一导电性的拾取区域，形成在所述第二区域中并且邻近所述第一漏极/源极区域。