| 发明名称 | 溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶可通过溅射法形成良好地添加了Na的、Ga添加浓度为1-40原子%的Cu-Ga膜。其作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分，含有Ga：1-40at%、Na：0.05-2at%，剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成；Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有，含氧量为100-1000ppm。 | ||
| 申请公布号 | CN103534381A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201280021123.2 | 申请日期 | 2012.04.24 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社;昭和砚壳石油株式会社 | 发明人 | 张守斌;小路雅弘 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 苏萌;钟守期 |
| 主权项 | 溅射靶，其特征在于，作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分，含有Ga：1‑40at%、Na：0.05‑2at%，剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成，Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有，含氧量为100‑1000ppm。 | ||
| 地址 | 日本东京都千代田区 | ||