一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法

摘要

本发明公开了一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，包括在半导体衬底上沉积超低介质常数薄膜；干法刻蚀所述超低介质常数薄膜以在其中形成侧壁结构；采用含-CH3的不饱和烃的化学药液进行湿法清洗；以及进行紫外线照射。本发明能够修复超低介质常数薄膜侧壁的损伤，从而恢复超低介质常数薄膜中的孔径和孔隙率，使有效介质常数保持最小。

主权项

一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上沉积超低介质常数薄膜，所述超低介质常数薄膜为掺碳的多孔氧化硅薄膜；干法刻蚀所述超低介质常数薄膜以在其中形成侧壁结构；采用含‑CH3的不饱和烃的化学药液进行湿法清洗，所述含‑CH3的不饱和烃与所述超低介质常数薄膜中的硅形成Si‑O‑C(Re)x；以及进行紫外线照射，以使Si‑O‑C(Re)x中的O‑C键断裂，而形成–Si(CH3)3的物质。