| 发明名称 | 半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片及固体摄像元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种更加有效率地制造能通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片（100）的制造方法，包括：第一工序，对半导体晶片（10）照射离子团（16），在该半导体晶片的表面（10A）形成由离子团（16）的构成元素构成的改性层（18）；以及第二工序，在半导体晶片（10）的改性层（18）上形成外延层（20）。 | ||
| 申请公布号 | CN103534791A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201280023592.8 | 申请日期 | 2012.03.19 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 门野武;栗田一成 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，对半导体晶片照射离子团，在该半导体晶片的表面形成由所述离子团的构成元素构成的改性层；以及第二工序，在所述半导体晶片的改性层上形成外延层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||