光电结构

摘要

公开了一种低成本导电硅层上的光电器件。该器件包括形成有源区的两个半导体层；可选层包括“异质结层”、一个或多个势垒层、盖层、导电和/或金属镀层、抗反射层和分布布拉格反射器。该器件可以包括多个有源区。

主权项

一种用于将入射辐射转换为电能的光电器件，包括：第一层，包括硅以使得少数载流子寿命小于1μs并且层厚度约为50微米或更大；与所述第一层相邻的第一导电类型的第二层，包括半导体以使得少数载流子寿命大于100纳秒并且层厚度约为10微米或更小；与所述第二层接触的第二导电类型的第三层，包括半导体以使得少数载流子寿命大于100纳秒，并且其中所述第二层和所述第三层可操作来作为有源区，以使得入射辐射的一部分被转换成电能。