发明名称 电子标签中调制负载电压的系统
摘要 本发明公开了电子标签中调制负载电压的系统,包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门,四个NMOS晶体管的源极均接地。第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第二PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上,第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上。第二非门与第四NMOS晶体管栅极连接,第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。本发明采用上述结构,整体结构简单,节省成本,且在提高阅读器天线的感应电压时不需增加阅读器的成本和体积。
申请公布号 CN103530671A 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN201210225644.1 申请日期 2012.07.03
申请人 成都市宏山科技有限公司 发明人 曾维亮
分类号 G06K19/067(2006.01)I 主分类号 G06K19/067(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 电子标签中调制负载电压的系统,其特征在于:包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门,所述四个NMOS晶体管的源极均接地;所述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)及第四NMOS晶体管(N4),所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管(P1)和第二PMOS晶体管(P2),第一PMOS晶体管(P1)源极与第三NMOS晶体管(N3)漏极连接,第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)及第二PMOS晶体管(P2)三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管(P1)源极和第三NMOS晶体管(N3)漏极之间的线路上,所述第二PMOS晶体管(P2)源极与第四NMOS晶体管(N4)漏极连接,第一PMOS晶体管(P1)栅极连接在第二PMOS晶体管(P2)源极和第四NMOS晶体管(N4)漏极之间的线路上;所述非门包括第一非门(1)和第二非门(2),所述第二非门(2)的输入端与第一非门(1)的输出端连接,第二非门(2)的输出端与第四NMOS晶体管(N4)栅极连接,所述第三NMOS晶体管(N3)栅极与第一非门(1)和第二非门(2)之间的线路连接。
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