发明名称 |
电子标签中调制负载电压的系统 |
摘要 |
本发明公开了电子标签中调制负载电压的系统,包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门,四个NMOS晶体管的源极均接地。第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第二PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上,第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上。第二非门与第四NMOS晶体管栅极连接,第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。本发明采用上述结构,整体结构简单,节省成本,且在提高阅读器天线的感应电压时不需增加阅读器的成本和体积。 |
申请公布号 |
CN103530671A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201210225644.1 |
申请日期 |
2012.07.03 |
申请人 |
成都市宏山科技有限公司 |
发明人 |
曾维亮 |
分类号 |
G06K19/067(2006.01)I |
主分类号 |
G06K19/067(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
电子标签中调制负载电压的系统,其特征在于:包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门,所述四个NMOS晶体管的源极均接地;所述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)及第四NMOS晶体管(N4),所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管(P1)和第二PMOS晶体管(P2),第一PMOS晶体管(P1)源极与第三NMOS晶体管(N3)漏极连接,第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)及第二PMOS晶体管(P2)三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管(P1)源极和第三NMOS晶体管(N3)漏极之间的线路上,所述第二PMOS晶体管(P2)源极与第四NMOS晶体管(N4)漏极连接,第一PMOS晶体管(P1)栅极连接在第二PMOS晶体管(P2)源极和第四NMOS晶体管(N4)漏极之间的线路上;所述非门包括第一非门(1)和第二非门(2),所述第二非门(2)的输入端与第一非门(1)的输出端连接,第二非门(2)的输出端与第四NMOS晶体管(N4)栅极连接,所述第三NMOS晶体管(N3)栅极与第一非门(1)和第二非门(2)之间的线路连接。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层 |