| 发明名称 | 在材料中形成断面的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种由基板（20）或供体基板形成半导体材料层（26）的方法，所述基板或供体基板由相同的半导体材料制成，所述方法包括：在所述供体基板中形成浓度在5×1018原子/cm3和5×1020原子/cm3之间的高锂浓度区域（22）；然后，将氢注入（24）到在所述高锂浓度区域或所述高锂浓度区域的附近的供体基板中；将加固件（19）施加至所述供体基板；施加热预算以使得通过所述注入界定的层（34）剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN103534800A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201280021785.X | 申请日期 | 2012.04.27 |
| 申请人 | 原子能和替代能源委员会 | 发明人 | 欧拉丽·陶森;弗雷德里克·马曾 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 张颖玲;胡春光 |
| 主权项 | 一种由基板（20）或供体基板形成半导体材料层（34）的方法，所述基板或所述供体基板由相同的半导体材料制成，所述方法包括：在所述供体基板中形成浓度在5x1018原子/cm3和5x1020原子/cm3之间的高锂浓度区域（22）；然后，将氢注入（18、24）到在所述高锂浓度区域或所述高锂浓度区域的附近的供体基板中；将经注入的供体基板与加固件（19）组装；施加热预算以使得通过所述注入在所述供体基板（20）中界定的层（34）剥离。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||