| 发明名称 | 掩模及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了掩模及其形成方法，其中，掩模可应用于光刻以制造半导体晶片。掩模包括低热膨胀材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多层（ML）以及位于反射ML上方的图案化吸收层。图案化吸收层包括范围在25nm和31nm之间的厚度、范围在0.84和0.93之间的折射率以及范围在0.038和0.051之间的消光系数。 | ||
| 申请公布号 | CN103529640A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310173745.3 | 申请日期 | 2013.05.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 游信胜;严涛南 |
| 分类号 | G03F1/24(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/24(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种远紫外线（EUV）掩模底版，包括：低热膨胀材料（LTEM）基板；位于所述LTEM基板上方的反射多层（ML）；以及位于所述反射ML上方的吸收层，所述吸收层包括范围在约25nm至约31nm之间的厚度、范围在约0.84至约0.93之间的折射率和范围在约0.038至约0.051之间的消光系数。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||