能提高超辐射发光二极管芯片工作温度范围的波导结构

摘要

一种能提高超辐射发光二极管芯片工作温度范围的波导结构，所述波导有源段的形状为直条形；所述波导无源段由楔形段、弯曲段和直条段组成；楔形段的轴向与直条段的轴向呈一定夹角，楔形段、弯曲段和直条段之间的连接处光滑过渡。本发明的有益技术效果是：在波导区域横向宽度一定的条件下，可以获得光路长度更长的宽度渐变段，提高SLD芯片对光反馈的抑制能力，扩展SLD芯片对低温环境的适应性。

主权项

一种能提高超辐射发光二极管芯片工作温度范围的波导结构，包括设置于SLD芯片（1）上的波导，波导前段形成SLD芯片（1）的有源区，波导后段形成SLD芯片（1）的无源吸收区，所述波导前段记为有源段（5），所述波导后段记为无源段，其特征在于：所述有源段（5）的形状为直条形；所述无源段的形状为异形，无源段由楔形段（2）、弯曲段（3）和直条段（4）组成；有源段（5）的右端与SLD芯片（1）的有源区发光窗口相连，有源段（5）的左端与直条段（4）右端同轴相连，且有源段（5）宽度和直条段（4）宽度相同；直条段（4）左端与弯曲段（3）右端连接，弯曲段（3）左端与楔形段（2）右端连接，楔形段（2）左端与SLD芯片（1）的后腔面相连；所述楔形段（2）的右端宽度小于左端宽度；所述弯曲段（3）的右端宽度小于左端宽度，弯曲段（3）中部为宽度单向渐变的弧形，其宽度变化从右向左逐渐变宽；楔形段（2）的轴向与直条段（4）的轴向呈一定夹角，楔形段（2）、弯曲段（3）和直条段（4）之间的连接处光滑过渡。