发明名称 有机半导体材料
摘要 本发明的目的在于,提供一种不仅显示出液晶性而且还显示出高电子迁移率的有机半导体材料。本发明的有机半导体材料至少包含具有芳族稠环结构的电荷输送性分子单元A、以及通过单键与该单元相连的环状结构单元B,且上述单元A和单元B中的至少一个单元具有作为侧链的单元C,其特征在于,该有机半导体材料显示N相、SmA相和SmC相以外的液晶相。
申请公布号 CN103534830A 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN201280018838.2 申请日期 2012.03.09
申请人 国立大学法人东京工业大学;DIC油墨株式会社 发明人 半那纯一;小堀武夫;臼井孝之;高屋敷由纪子;饭野裕明;大野玲
分类号 H01L51/30(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I 主分类号 H01L51/30(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 吴宗颐
主权项 有机半导体材料,其至少包含具有芳族稠环结构的电荷输送性分子单元A以及通过单键与该单元相连的环状结构单元B,且上述单元A和单元B中的至少一个单元具有作为侧链的单元C,其特征在于,该材料除了显示N相、SmA相和SmC相以外,还显示其他的相。
地址 日本东京