发明名称 |
一种石墨烯的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种石墨烯的制备方法,该石墨烯的制备方法至少包括步骤:首先,提供一SiC基底;接着,采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge;最后,对上述形成的结构进行退火处理,注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键,断键后的Si和注入的Ge形成SiGe,断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯,对制备仪器的要求较低,并且节约能源、减少成本,适用于工业化生产。 |
申请公布号 |
CN103523770A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310492787.3 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
狄增峰;王刚;陈达;陆子同;叶林;郑晓虎;张苗;丁古巧;谢晓明 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种石墨烯制备方法,其特征在于,所述石墨烯制备方法至少包括:1)提供一SiC基底;2)采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge;3)对步骤2)形成的结构进行退火处理,注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键,断键后的Si和注入的Ge形成SiGe,断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |