一种功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件，其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS器件4、第五类高压nLDMOS器件5、第六类高压nLDMOS器件6、低压NMOS器件7、低压PMOS器件8和低压NPN器件9集成于同一芯片上。本发明的有益效果为，衬底10上实现nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成，为高压器件提供了低阻的导电通道，提高器件的电导率，大大降低了高压器件的比导通电阻，从而降低芯片的制造成本。本发明尤其适用于功率半导体器件及其制造。

主权项

一种功率半导体器件，包括半导体衬底（10），其特征在于，所述半导体衬底（10）中集成了多个高压nLDMOS器件以及低压NMOS器件（7）、低压PMOS器件（8）和低压NPN器件（9）；多个高压nLDMOS器件之间通过金属前介质（11）和场氧化层（51）相互隔离；低压NMOS器件（7）、低压PMOS器件（8）和低压NPN器件（9）之间通过金属前介质（11）和场氧化层（51）相互隔离；低压NMOS器件（7）和相邻的高压nLDMOS器件间通过金属前介质（11）和场氧化层（51）相互隔离，所述金属前介质（11）设置在场氧化层（51）的上表面；所述多个高压nLDMOS器件至少包括6类高压nLDMOS器件。