| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：硅衬底；缓冲结构，设置在硅衬底上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，形成在缓冲结构上。缓冲结构包括多个氮化物半导体层以及与多个氮化物半导体层交替地设置并包括IV-IV族半导体材料的多个应力控制层。 | ||
| 申请公布号 | CN103531612A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310273079.0 | 申请日期 | 2013.07.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金柱成;金峻渊;李在垣;崔孝枝;卓泳助 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：硅衬底；缓冲结构，设置在所述硅衬底上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，形成在所述缓冲结构上，其中所述缓冲结构包括：多个氮化物半导体层；以及多个应力控制层，与所述多个氮化物半导体层交替地设置并包括IV‑IV族半导体材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||