发明名称 |
一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法,包括如下工序:1)制备Ba-Cu-O先驱粉末;2)将Ba-Cu-O先驱粉末加入晶体生长炉中的Y2O3坩埚中,加热至第一温度进行保温,获得Y-Ba-Cu-O溶液;3)在溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末,并保温;4)将溶液以第一降温速度降低至第二温度;5)将固定在连接杆的NGO单晶基板作为籽晶材料快速插入到步骤4)得到的溶液,生长纯a轴取向的YBCO液相外延膜。本发明通过选取特定割切方向的NGO单晶基板、控制溶液的过饱和度等方式来液相外延生长纯a轴取向的YBCO混合晶界结构的超导厚膜,工艺简单,操作方便。 |
申请公布号 |
CN103526283A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310533809.6 |
申请日期 |
2013.10.31 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
姚忻;郭林山;陈媛媛;彭波南;王伟 |
分类号 |
C30B19/12(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I |
主分类号 |
C30B19/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 |
代理人 |
郑立 |
主权项 |
一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法,包括如下工序:a)制备Ba‑Cu‑O先驱粉末;b)将所述Ba‑Cu‑O先驱粉末加入到晶体生长炉中的盛放Y2O3材料的坩埚中;c)将工序b)中的盛放所述Ba‑Cu‑O先驱粉末和所述Y2O3材料的坩埚加热至第一温度进行保温,获得Y‑Ba‑Cu‑O溶液;d)在所述晶体生长炉中,用顶部籽晶提拉法液相外延生长YBCO超导厚膜;其特征在于,工序d)中的液相外延生长包括以下步骤:e)在工序c)中获得的所述Y‑Ba‑Cu‑O溶液中加入所述Ba‑Cu‑O先驱粉末,并在所述第一温度进行保温;f)将步骤e)中的所述Y‑Ba‑Cu‑O溶液以第一降温速度降低至第二温度;g)将固定在连接杆上的NdGaO3单晶基板沿长轴方向以第一下降速度插入到步骤f)得到的所述Y‑Ba‑Cu‑O溶液中,外延生长一段时间后取出,获得纯a轴取向的YBCO液相外延膜;所述NdGaO3单晶基板的晶面指数为(110),所述NdGaO3单晶基板的长轴方向的晶向指数为[001],所述NdGaO3单晶基板的短轴方向的晶向指数为[110]。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |