| 发明名称 | CMOS管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括NMOS区域和与其相隔PMOS区域，NMOS区域形成有第一伪栅极结构和第一源/漏区，PMOS区域形成有第二伪栅极结构和第二源/漏区，且PMOS区域的半导体衬底、第二源/漏区和第二伪栅极结构表面覆盖有第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜，形成覆盖第一源/漏区表面的第一金属硅化物层；形成第一金属硅化物层后，去除所述第一掩膜层；形成位于所述半导体衬底表面的层间介质层，层间介质层与第一伪栅极结构和第二伪栅极结构表面齐平；刻蚀层间介质层，暴露出部分第二源/漏区表面的开口；通过开口在第二源/漏区表面形成第二金属硅化物层。形成的CMOS管的性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN103531452A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210226457.5 | 申请日期 | 2012.07.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种CMOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和与其相隔PMOS区域，其中，所述NMOS区域的半导体衬底表面形成有第一伪栅极结构，位于所述第一伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第一源/漏区，所述PMOS区域的半导体衬底表面形成有第二伪栅极结构，位于所述第二伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第二源/漏区，且所述PMOS区域的半导体衬底、第二源/漏区和第二伪栅极结构表面覆盖有第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，形成覆盖所述第一源/漏区表面的第一金属硅化物层；形成第一金属硅化物层后，去除所述第一掩膜层；形成位于所述半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层与所述第一伪栅极结构和第二伪栅极结构表面齐平；刻蚀所述层间介质层，形成暴露出部分所述第二源/漏区表面的开口；通过所述开口在第二源/漏区表面形成第二金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||