| 发明名称 | 多栅极FET及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了多栅极FET及其形成方法。一种方法包括氧化半导体鳍以在该半导体鳍的相对侧壁上形成氧化物层。该半导体鳍位于隔离区的顶面上方。在氧化之后，实施倾斜注入以将杂质注入半导体鳍。在倾斜注入之后去除氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN103531478A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310109488.7 | 申请日期 | 2013.03.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 卢文泰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：氧化半导体鳍以在所述半导体鳍的相对侧壁上形成氧化物层，其中所述半导体鳍位于隔离区的顶面上方；在所述氧化之后，实施倾斜注入以将杂质注入所述半导体鳍；以及在所述倾斜注入的步骤之后，去除所述氧化物层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||