| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有双功函数金属栅的CMOS晶体管的制造方法，其中，在不同MOS区域，形成不同厚度的栅极材料，然后，将金属铝作为调节功函数的金属引入，通过退火工艺，利用Al停留在栅极层可以获得较低功函数、进入栅绝缘层可以获得较高功函数的特点，实现了CMOS晶体管的双功函数金属栅，简化了双功函数晶体管的集成工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN103531540A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210228598.0 | 申请日期 | 2012.07.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，用于制造具有双功函数金属栅的CMOS晶体管，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成NMOSFET区域和PMOSFET区域；全面性地形成第一栅极绝缘层；全面性地形成第一栅极；刻蚀位于PMOSFET区域的第一栅极的至少部分厚度；全面性地形成铝金属层；对所述铝金属层进行退火；沉积金属填充层，完成CMOS晶体管的金属栅极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||