半导体器件

摘要

本发明提供了一种具有在同一个半导体衬底中的IGBT元件区和二极管元件区的反向导电型半导体器件。电流检测区与所述IGBT元件区相邻布置，并且所述IGBT元件区的集电极区延伸以与电流检测区的集电极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的IGBT检测电流中的不稳定性。以相同的方式，电流检测区与所述二极管元件区相邻布置，并且二极管元件区的阴极区延伸以与所述电流检测区的阴极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的二极管检测电流中的不稳定性。

主权项

一种半导体器件，包括：IGBT元件区；二极管元件区；以及第一电流检测区，其配置为至少能够检测流过所述IGBT元件区的IGBT电流，其中，所述IGBT元件区、所述二极管元件区和所述第一电流检测区形成在同一个半导体衬底中，第二导电型集电极区、第一导电型漂移区和第二导电型主体区依次层叠在所述IGBT元件区中，第二导电型集电极区、第一导电型漂移区和第二导电型主体区依次层叠在所述第一电流检测区的至少一部分中，第一导电型阴极区、第一导电型漂移区和第二导电型主体区依次层叠在所述二极管元件区中，所述第一电流检测区与所述IGBT元件区相邻布置，所述IGBT元件区的所述集电极区延伸以与所述第一电流检测区的所述集电极区连接，所述二极管元件区的所述阴极区与所述IGBT元件区的所述集电极区相邻布置，并且所述IGBT元件区布置在所述二极管元件区和所述第一电流检测区之间，其中，所述IGBT元件区的所述集电极区和所述二极管元件区的所述阴极区之间的界线不存在于所述IGBT元件区和所述第一电流检测区之间。