发明名称 能在多个频率范围内运行的无天线的无线装置
摘要 本发明涉及一种无天线的无线手持或便携装置(100),其包括:用户界面模块(101),处理模块(102),存储模块(103),通信模块(104)以及电源管理模块(105);所述通信模块(104)包括能在第一频率范围和第二频率范围发射和接收电磁波信号的辐射系统(200),其中所述第一频率范围的最高频率低于所述第二频率范围的最低频率;所述辐射系统(200)包括:辐射结构(201),该辐射结构(201)包括或包含至少一个能支持至少一种辐射模式的地线平面层(206),所述至少一个地线平面层(206)包括至少一个连接点(207);至少一个辐射增强器(204),其耦合来自所述至少一个地线平面层(206)的电磁能量或将电磁能量耦合至所述至少一个地线平面层(206),所述辐射增强器/每个辐射增强器包括连接点(205);以及至少一个内部端口(208),其中所述内部端口(208)/每个内部端口(208)限定在所述辐射增强器(204)/每个辐射增强器(204)的所述连接点(205)与所述至少一个地线平面层(206)的所述至少一个连接点(207)中的一个连接点之间;其中所述至少一个地线平面层(206)相关有地线平面矩形(450),所述地线平面矩形(450)定义为包含所述至少一个地线平面层(206)的尺寸最小的矩形,这样所述地线平面矩形(450)的侧边与所述至少一个地线平面层(206)的至少一个点相切;所述辐射系统(200)还包括射频系统(202)以及外部接口(203);所述射频系统(200)包括连接至所述辐射结构(201)的所述至少一个内部端口(208)中的每个内部端口的端口(209)以及连接至所述辐射系统(200)的所述外部端口(203)的端口(210);其中,在所述辐射结构(201)从所述射频系统(202)断开的情况下,对于所述第一频率范围的任何频率,所述辐射结构(201)在所述内部端口(208)/每个内部端口(208)处的输入阻抗的虚部不等于0;而且,其中所述射频系统(202)改变所述辐射结构(201)的阻抗,从而在所述辐射系统运行的所述至少两个频率范围内为所述辐射系统(200)提供阻抗匹配。
申请公布号 CN102084542B 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN200980130669.X 申请日期 2009.07.31
申请人 弗拉克托斯股份有限公司 发明人 乔米·安古拉;奥萝拉·安杜哈尔;卡勒斯·普恩特;约瑟普·蒙布鲁
分类号 H01Q1/24(2006.01)I;H01Q9/02(2006.01)I;H01Q5/00(2006.01)I 主分类号 H01Q1/24(2006.01)I
代理机构 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人 张涛
主权项 一种无天线的无线手持或便携装置(100),其包括:用户界面模块(101),处理模块(102),存储模块(103),通信模块(104)以及电源管理模块(105);所述通信模块(104)包括能在第一频率范围和第二频率范围发射和接收电磁波信号的辐射系统(230),其中所述第一频率范围的最高频率低于所述第二频率范围的最低频率;所述辐射系统(230)包括:辐射结构(231)、射频系统(232)和外部端口(203);该辐射结构(231)包括第一辐射增强器(151a,204),第二辐射增强器(151b,234),第一内部端口(208),第二内部端口(238)和地线平面层(152,206);所述地线平面层(152,206)能支持至少一种辐射模式;所述地线平面层(152,206)包括至少两个连接点(207);所述第一辐射增强器(151a,204)和所述第二辐射增强器(151b,234)耦合来自所述地线平面层(152,206)的电磁能量或将电磁能量耦合至所述地线平面层(152,206);所述第一辐射增强器(151a,204)包括第一连接点(205);所述第二辐射增强器(151b,234)包括第二连接点(235);其中辐射结构(231)的内部端口(208)被限定在所述第一辐射增强器(151a,204)与地线平面层(152,206)的至少两个连接点(207)中的一个连接点之间;其中所述地线平面层(152,206)有相关的地线平面矩形(450),所述地线平面矩形(450)定义为包含所述地线平面层(152,206)的尺寸最小的矩形,这样所述地线平面矩形(450)的侧边与所述地线平面层(152,206)的至少一个点相切;所述射频系统(232)包括连接至所述辐射结构(231)的所述第一内部端口(208)的第一端口(209)、连接至所述辐射结构(231)的第二内部端口(238)的第二端口(239)以及连接至所述辐射系统(230)的所述外部端口(203)的第三端口(210);其中,在所述辐射结构(231)从所述射频系统(232)断开的情况下,对于所述第一频率范围的任何频率,在所述第一内部端口和在所述第二内部端口(208,238)处的输入阻抗的虚部不等于0;而且,其中所述射频系统(232)改变所述辐射结构(231)的阻抗,从而在所述辐射系统运行的所述第一频率范围和所述第二频率范围内为所述辐射系统(230)提供阻抗匹配;以及其中第一和第二辐射增强器(151a,151b,204,234)具有小于与所述第一频率范围的最低频率相对应的真空波长的1/30的最大尺寸。
地址 西班牙巴塞罗纳圣库加特德尔巴耶斯