一种具有肖特基终端结构的肖特基器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有沟槽终端结构肖特基器件，本发明的半导体器件具有肖特基结构的终端，通过浮空的肖特基结构减缓器件反向偏压时在肖特基边缘电场的集中；同时简化了器件的制造流程，使用两次光刻工艺，可以实现器件的生产制造。

主权项

一种具有肖特基终端结构的肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为第一传导类型半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；主结肖特基势垒结，位于器件中心位置漂移层表面，表面覆盖电极金属；一个或多个副结肖特基势垒结，位于主结肖特基势垒结边缘的漂移层表面，表面覆盖有浮空金属，副结肖特基势垒结与主结肖特基势垒结不相连，副结肖特基势垒结之间不相连；绝缘层，为绝缘材料，位于主结肖特基势垒结与副结肖特基势垒结之间以及多个副结肖特基势垒结之间的漂移层表面；背面金属，位于衬底层背面。