发明名称 |
用于高频应用的低温共烧陶瓷结构及其制造方法 |
摘要 |
本文公开了包括多层低温共烧陶瓷的多层低温共烧陶瓷(LTCC)结构,所述多层低温共烧陶瓷包括玻璃-陶瓷介电层,所述玻璃-陶瓷介电层具有在所述层的部分上的丝网印刷厚膜内导体,并具有沉积在LTCC的上部外表面和下部外表面上的薄膜外导体。以线的形式将薄膜外导体的至少一部分图案化,并且线之间的间距小于50μm。本发明还公开了用于制造所述LTCC结构的方法。 |
申请公布号 |
CN103534802A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201280021177.9 |
申请日期 |
2012.05.21 |
申请人 |
E.I.内穆尔杜邦公司 |
发明人 |
S·E·戈登;E·D·休斯;J·C·麦勒比;D·M·奈尔;K·M·奈尔;J·M·帕里斯;M·A·史密斯;K·E·桑德斯 |
分类号 |
H01L23/15(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H05K1/03(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/15(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
朱黎明 |
主权项 |
多层低温共烧陶瓷结构,包括:a)多层低温共烧陶瓷,其包括玻璃‑陶瓷介电层,所述玻璃‑陶瓷介电层具有在所述层的部分上的丝网印刷厚膜内导体,并具有在所述内导体之间并且从所述内导体到所述低温共烧陶瓷的上部外表面和下部外表面的丝网印刷厚膜通孔互连件,其中在焙烧之后已经抛光所述低温共烧陶瓷的上部外表面和下部外表面;以及b)薄膜外导体,其沉积在所述低温共烧陶瓷的所述抛光的上部外表面和下部外表面上,其中将所述薄膜外导体图案化,使得所述薄膜外导体的至少一部分为线形式,并且其中所述线之间的间距小于50μm;所述厚膜内导体和在所述内导体之间的所述厚膜通孔互连件、所述薄膜外导体、以及从所述内导体到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互连件均包含独立地选自金、银、铂、钯、它们的混合物及其合金的贵金属,并且其中从所述内导体到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互连件提供至所述薄膜外导体的电连接。 |
地址 |
美国特拉华州 |