| 发明名称 | 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板包括由低温多晶硅经过等离子体处理后形成的有源层。本发明的技术方案在利用低温多晶硅形成有源层时，对低温多晶硅膜质的损伤较小，能够省去激活工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN103531595A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310532584.2 | 申请日期 | 2013.10.31 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 孙亮;任章淳;皇甫鲁江 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括由低温多晶硅经过等离子体处理后形成的有源层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||