| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了包括局部化绝缘体上硅结构的半导体装置。该半导体装置包括：基底区域；在基底区域中的第一导电类型的第一阱；第二导电类型的第二阱；第二导电类型的第三阱；绝缘体上硅结构，在第三阱的上方填充基底区域中的凹陷，其中，第二阱和第三阱通过第一阱隔开，并且第二阱和第三阱形成在第一阱两侧的区域中，使得第二阱和第三阱彼此不相邻，第二阱和第三阱中的至少一个位于第一阱上，其中，第一晶体管的源极和漏极在第二阱中，第二晶体管的源极和漏极在绝缘体上硅结构中，其中，驱动电路包括第一晶体管，存储器单元包括第二晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103531537A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310379108.1 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金元住;崔相武;李太熙;朴允童 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;王占杰 |
| 主权项 | 一种包括局部化绝缘体上硅结构的半导体装置，包括：基底区域；在基底区域中的第一导电类型的第一阱；第二导电类型的第二阱；第二导电类型的第三阱；绝缘体上硅结构，在第三阱的上方填充基底区域中的凹陷，其中，第二阱和第三阱通过第一阱隔开，并且第二阱和第三阱形成在第一阱两侧的区域中，使得第二阱和第三阱彼此不相邻，第二阱和第三阱中的至少一个位于第一阱上，其中，第一晶体管的源极和漏极在第二阱中，第二晶体管的源极和漏极在绝缘体上硅结构中，其中，驱动电路包括第一晶体管，存储器单元包括第二晶体管。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||