| 发明名称 | 一种用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成有层间介电层、位于所述层间介电层上的第一硬掩膜层和位于所述第一硬掩膜层上的第二硬掩膜层；蚀刻所述第二硬掩膜层，以在所述第二硬掩膜层中形成第一开口；以所述第二硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层中形成第二开口；以及对所述第一硬掩膜层进行蚀刻处理，以使所述第二开口的侧壁回缩。根据本发明的方法可以获得侧壁较为平直且顶部开口较大的沟槽用于填充互连金属，从而能够改善互连金属填充效果，且进而提高最终制得的半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103531531A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210232175.6 | 申请日期 | 2012.07.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宋兴华;周磊;白凡飞 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成有层间介电层、位于所述层间介电层上的第一硬掩膜层和位于所述第一硬掩膜层上的第二硬掩膜层；蚀刻所述第二硬掩膜层，以在所述第二硬掩膜层中形成第一开口；以所述第二硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层中形成第二开口；以及对所述第一硬掩膜层进行蚀刻处理，以使所述第二开口的侧壁回缩。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||