发明名称 |
碳化硅IGBT基板骨架真空液压压力快捷渗铝装置及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种碳化硅IGBT基板骨架真空液压压力快捷渗铝装置,它包括上冲头、下冲头和型腔;所述型腔包括型腔本体和通腔;型腔本体上半部设有与通腔连通的铝合金液注入口,型腔本体下半部分设有与通腔连通的真空泵接口;所述上冲头由上至下伸入通腔,上冲头伸入通腔的部分环设有密封圈;所述下冲头由下至上伸入通腔,下冲头伸入通腔的部分也环设有密封圈;所述下冲头顶面设有用于装载碳化硅IGBT基板骨架的石墨框架;当上冲头封闭铝合金液注入口、下冲头封闭真空泵接口时,上冲头和下冲头之间的距离为30mm~40mm。采用该装置能实现碳化硅IGBT基板骨架快捷渗铝及双面均匀覆铝。 |
申请公布号 |
CN103521738A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310486806.1 |
申请日期 |
2013.10.17 |
申请人 |
湖南航天工业总公司 |
发明人 |
舒阳会;胡娟 |
分类号 |
B22D19/00(2006.01)I;B22D18/06(2006.01)I |
主分类号 |
B22D19/00(2006.01)I |
代理机构 |
长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 |
代理人 |
郭立中 |
主权项 |
一种碳化硅IGBT基板骨架真空液压压力快捷渗铝装置,其特征在于,它包括上冲头(7)、下冲头(1)和型腔(2);所述型腔(2)包括型腔本体(9)和通腔(10);型腔本体(9)上半部设有与通腔(10)连通的铝合金液注入口(8),型腔本体(9)下半部分设有与通腔(10)连通的真空泵接口(3);所述上冲头(7)由上至下伸入通腔(10),上冲头(7)伸入通腔(10)的部分环设有密封圈(11);所述下冲头(1)由下至上伸入通腔(10),下冲头(1)伸入通腔(10)的部分也环设有密封圈(11);所述下冲头(1)顶面设有用于装载碳化硅IGBT基板骨架(5)的石墨框架(4);当上冲头(7)封闭铝合金液注入口(8)、下冲头(1)封闭真空泵接口(3)时,上冲头(7)和下冲头(1)之间的距离为30mm~40 mm。 |
地址 |
410205 湖南省长沙市岳麓区枫林三路217号 |