具有用于嵌入式动态随机存取存储器（EDRAM）的集成双壁电容器的半导体结构及其形成方法

摘要

本发明描述了具有用于eDRAM的集成双壁电容器的半导体结构及其形成方法。例如，嵌入式双壁电容器包括设置在第一电介质层中的沟槽，其中所述第一电介质层设置在衬底之上。所述沟槽具有底部和侧壁。U形金属板设置在所述沟槽的底部，与其侧壁间隔开。第二电介质层设置在所述沟槽的侧壁和所述U形金属板上且与它们共形。顶部金属板层设置在所述第二电介质层上且与其共形。

主权项

一种用于半导体器件的嵌入式双壁电容器，所述电容器包括：沟槽，设置在第一电介质层中，所述第一电介质层设置在衬底之上，所述沟槽具有底部和侧壁；U形金属板，设置在所述沟槽的所述底部且与所述侧壁间隔开；第二电介质层，设置在所述沟槽的所述侧壁和所述U形金属板上且与所述沟槽的所述侧壁和所述U形金属板共形；以及顶部金属板层，设置在所述第二电介质层上且与所述第二电介质层共形。