| 发明名称 | 浅沟槽隔离的形成方法及半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种浅沟槽隔离的形成方法及半导体结构，通过在沟槽内形成硅层，减小了用以形成浅沟槽隔离的沟槽的尺寸，从而可减小后续形成的浅沟槽隔离的尺寸；同时，由于在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化硅层，该衬垫氧化硅层的深度与现有的浅沟槽隔离的厚度相当，由此，在该衬垫氧化硅层的辅助下，所述浅沟槽隔离的隔离性能将不受影响。即相当于与现有的浅沟槽隔离的尺寸相比，由于硅层的存在导致最终形成的浅沟槽隔离的体积变小了，从而实现了浅沟槽隔离能在同样的隔离性能下，进一步减小浅沟槽隔离尺寸的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN103531520A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210226403.9 | 申请日期 | 2012.07.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宋化龙 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；刻蚀所述硅衬底，以形成沟槽；形成衬垫氧化硅层，所述衬垫氧化硅层覆盖所述沟槽的侧壁；在所述沟槽内形成硅层；及在所述沟槽内形成浅沟槽隔离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||