| 发明名称 |
一种蓝光激发的LED用绿色半导体纳米晶及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种蓝光激发的LED用绿色半导体纳米晶，所述的半导体纳米晶采用水相合成技术，(1)将硫氢化物、醋酸锌、六聚偏磷酸钠合成ZnS半导体纳米晶；(2)在ZnS半导体纳米晶中加入醋酸铅溶液，生成ZnS／PbS半导体纳米晶；(3)在ZnS／PbS半导体纳米晶中注入醋酸锌溶液、硫氢化物溶液，制得ZnS／PbS／ZnS半导体纳米晶。本发明制得的半导体纳米晶在450～460nm波长的蓝光激发下发射绿光，发射光谱的波长范围为505nm～550nm，可应用于LED器件。本制备方法简单，操作简便，成本低，适合量产。 |
| 申请公布号 |
CN103525416A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
| 申请号 |
CN201310516740.6 |
申请日期 |
2013.10.29 |
| 申请人 |
南京琦光光电科技有限公司;轻工业部南京电光源材料科学研究所 |
发明人 |
王海波;朱月华;姜青松;苏娟;施丰华;邢海东;刘光熙;卓宁泽;李东志 |
| 分类号 |
C09K11/66(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C09K11/66(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种蓝光激发的LED用绿色半导体纳米晶，其特征在于：该半导体纳米晶可在450～460nm波长光激发下发射绿光，发射光谱的波长范围为505～550nm，所述的半导体纳米晶结构式为ZnS／PbS／ZnS。 |
| 地址 |
211300 江苏省南京市高淳经济开发区古檀大道3号 |
