发明名称 |
一种集成电路的金属布线结构 |
摘要 |
本发明提供一种集成电路(后道工艺中的)金属布线结构,能够简便、有效地产生集成电路中信号间的电容。该集成电路的金属布线结构,包括n层金属,n大于1,每层金属为多条平行的金属线,其中同层金属存在传输不同信号的金属线;相邻层金属存在传输不同信号的金属线;相邻层金属,传输相同信号的金属线之间通过通孔上下相接。本发明在集成电路中仅通过使用金属互联线(金属层)就可以产生电容;不需要使用有源区的面积;电容的速度快;由于电容是在芯片生产的后道工艺中制作,即使芯片的前道工艺已经完成,还可以有机会和时间设计和制作这样的电容。 |
申请公布号 |
CN103531577A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310529950.9 |
申请日期 |
2013.10.30 |
申请人 |
西安华芯半导体有限公司 |
发明人 |
叶艳;李晓骏 |
分类号 |
H01L23/528(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/528(2006.01)I |
代理机构 |
西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人 |
胡乐 |
主权项 |
一种集成电路的金属布线结构,包括n层金属,n大于1,其特征在于:每层金属为多条平行的金属线,其中同层金属存在传输不同信号的金属线;相邻层金属存在传输不同信号的金属线;相邻层金属,传输相同信号的金属线之间通过通孔上下相接。 |
地址 |
710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层 |