发明名称 一种集成电路的金属布线结构
摘要 本发明提供一种集成电路(后道工艺中的)金属布线结构,能够简便、有效地产生集成电路中信号间的电容。该集成电路的金属布线结构,包括n层金属,n大于1,每层金属为多条平行的金属线,其中同层金属存在传输不同信号的金属线;相邻层金属存在传输不同信号的金属线;相邻层金属,传输相同信号的金属线之间通过通孔上下相接。本发明在集成电路中仅通过使用金属互联线(金属层)就可以产生电容;不需要使用有源区的面积;电容的速度快;由于电容是在芯片生产的后道工艺中制作,即使芯片的前道工艺已经完成,还可以有机会和时间设计和制作这样的电容。
申请公布号 CN103531577A 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN201310529950.9 申请日期 2013.10.30
申请人 西安华芯半导体有限公司 发明人 叶艳;李晓骏
分类号 H01L23/528(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I 主分类号 H01L23/528(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 胡乐
主权项 一种集成电路的金属布线结构,包括n层金属,n大于1,其特征在于:每层金属为多条平行的金属线,其中同层金属存在传输不同信号的金属线;相邻层金属存在传输不同信号的金属线;相邻层金属,传输相同信号的金属线之间通过通孔上下相接。
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