| 发明名称 | 具有线源极和线漏极的晶体管 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管，至少包括栅极(1)、绝缘体层(2)、漏极(3)、源极(4)、将所述源极(4)连接到所述漏极(3)的半导体材料(50)，所述栅极(1)和所述绝缘体层(2)每个都包围由所述源极(4)、所述漏极(3)以及所述半导体材料所构成的组件，所述绝缘体层(2)设置在所述栅极(1)和所述组件之间。所述漏极(3)和所述源极(4)分别由第一电导体和第二电导体构成，所述第一电导体和第二电导体以平行方式设置且彼此不相连接，所述半导体材料(50)层包围所述第一电导体和第二电导体的整个周界以及它们的至少一部分长度。 | ||
| 申请公布号 | CN101783365B | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN200910225703.3 | 申请日期 | 2009.11.27 |
| 申请人 | 原子能委员会 | 发明人 | 穆罕默德·本瓦迪赫 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 田军锋;魏金霞 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，至少包括：芯部组件，所述芯部组件由漏极、源极、以及与所述源极和所述漏极二者相接触的半导体材料层构成；绝缘体层，所述绝缘体层包覆所述芯部组件，以及电导体层，所述电导体层形成栅极并包覆所述绝缘体层，其中，所述漏极和所述源极分别由分离的第一电导体和第二电导体构成，所述第一电导体和第二电导体以平行方式设置，所述半导体材料层包覆所述第一电导体和第二电导体的整个周界以及它们的至少一部分长度，所述半导体材料层填充所述第一电导体与所述第二电导体之间的间隙。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||