| 发明名称 | 用于提供硬偏压封盖层的方法和系统 | ||
| 摘要 | 公开一种提供磁阻器件的方法和系统。该磁阻器件由多个磁阻层形成。该方法和系统包括提供掩膜。该掩膜覆盖在至少一个器件区域中的磁阻元件层的第一部分。使用该掩膜限定这一个(或多个)磁阻元件。该方法和系统包括淀积一个(或多个)硬偏压层。该方法和系统还包括在这一个(或多个)硬偏压层上提供硬偏压封盖结构。该硬偏压封盖结构包括第一保护层和平坦化停止层。该第一保护层处于该平坦化停止层与这一个(或多个)硬偏压层之间。该方法和系统还包括执行平坦化。该平坦化停止层被配置用于该平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN101552320B | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN200910004719.1 | 申请日期 | 2009.02.20 |
| 申请人 | 西部数据(弗里蒙特)公司 | 发明人 | L·洪;H·朱 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种用于提供至少一个磁阻器件的方法，所述磁阻器件由多个磁阻元件层形成，所述方法包括：提供掩膜，所述掩膜覆盖至少一个器件区域中的所述多个磁阻元件层的第一部分；利用所述掩膜限定来自所述多个磁阻元件层的至少一个磁阻元件；淀积至少一个硬偏压层；在所述至少一个硬偏压层上提供硬偏压封盖结构，所述硬偏压封盖结构包括第一保护层、第二保护层和平坦化停止层，所述第一保护层位于所述平坦化停止层与所述至少一个硬偏压层之间，所述平坦化停止层处于所述第一保护层与所述第二保护层之间；和执行平坦化，所述平坦化停止层被配置用于所述平坦化。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||