| 发明名称 | 氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是提供可抑制使用溅射法的氧化物半导体膜成膜时产生异常放电，可连续稳定成膜的溅射靶。提供具有稀土氧化物C型的结晶结构、表面无白点（溅射靶表面上所产生的凹凸等的外观不良）的溅射靶用的氧化物。本发明提供具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，铟（In）、镓（Ga）及锌（Zn）的组成量为以原子比表示满足下式。In/(In+Ga+Zn)<0.75。 | ||
| 申请公布号 | CN102105619B | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN200980129196.1 | 申请日期 | 2009.06.05 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 川岛浩和;矢野公规;宇都野太;井上一吉 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 翟赟琪 |
| 主权项 | 一种氧化物烧结体，其是含有氧化铟、氧化镓、氧化锌，并且具有以组成式In2O3表示的方铁锰矿结构和以组成式In2Ga2ZnO7表示的Yb2Fe3O7结构化合物的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体中，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量以原子比计满足下式，In/(In+Ga+Zn)＜0.75，0.5＜In/(In+Ga)＜0.98，0.6＜Ga/(Ga+Zn)＜0.99。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||