快恢复二极管制备方法

摘要

本发明涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N-型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧；对衬底退火，以在衬底表面形成二氧化硅层；刻蚀去除二氧化硅层；形成快恢复二极管的阳极、阴极电极。其消除了PN结形貌在靠近硅表面处的弯曲部，减小了此处的电场强度，从而提高了快恢复二极管器件击穿电压以及可靠性。

主权项

一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：a)、在N‑型衬底表面生长一牺牲氧化层；b)、在所述衬底上形成一P型掺杂场限环区；c)、在所述衬底上形成一P型掺杂阳极区；d)、刻蚀去除所述牺牲氧化层；e)、对所述衬底退火，以形成PN结；f)、通过离子注入向所述衬底表面注入氧；g)、对所述衬底退火，以在所述衬底表面形成二氧化硅层；h)、刻蚀去除所述二氧化硅层；i)、形成所述快恢复二极管的阳极、阴极电极。