多孔低介电常数薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多孔低介电常数薄膜材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：提供硅衬底，对其进行清洗，并将其置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，将气化后的D5环有机硅送入电子回旋共振等离子体设备中；调节电子回旋共振等离子体设备的控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并沿其运动方向在下游发生分解，在硅衬底表面上沉积形成多孔SiCOH薄膜；将多孔SiCOH薄膜真空热处理。本发明的制备方法克服了现有技术中高能量离子对薄膜的轰击所导致的薄膜损伤较大的缺点。由上述方法制备低介电常数薄膜材料的介电常数值为2.8，表面均匀，粗糙度低，绝缘性能和热稳定性好，并与微电子工艺具有较好的兼容性。

主权项

一种多孔低介电常数薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供硅衬底，对其进行清洗，并将清洗过的硅衬底置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，以惰性气体为载气将气化后的D5环有机硅送入电子回旋共振等离子体设备中；调节电子回旋共振等离子体设备的控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并沿其运动方向在下游发生分解，并在所述硅衬底表面上沉积形成多孔SiCOH薄膜；将得到的多孔SiCOH薄膜在原位进行真空热处理。