发明名称 兰姆波器件及其制造方法
摘要 本发明提供兰姆波器件及其制造方法,能够高精度地测定压电基板的厚度,能够容易地得到目标谐振特性。本发明的一个实施方式的兰姆波器件具有压电功能层(110)和支承体(120)。压电功能层具有压电基板(11)、IDT电极(12)以及切口部(14)。IDT电极配置在压电基板的表面上。切口部(14)设置在压电基板上,包含连接压电基板的表面与背面之间的阶梯面(140)。支承体具有支承面(201)和腔部(23)。支承面与压电基板的背面接合,隔着切口部(14)露出到压电基板的表面侧。腔部与支承面相邻设置,隔着压电基板而与IDT电极相对。
申请公布号 CN103532513A 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN201310130405.2 申请日期 2013.04.16
申请人 太阳诱电株式会社 发明人 高桥智之;入枝泰成;中村健太郎
分类号 H03H9/25(2006.01)I 主分类号 H03H9/25(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;马建军
主权项 一种兰姆波器件,其中,该兰姆波器件具有压电功能层和支承体,所述压电功能层具有压电基板、IDT电极以及切口部,所述压电基板具有第1面和与所述第1面相对的第2面,所述IDT电极配置在所述第1面上,所述切口部设置在所述压电基板上,包含连接所述第1面与所述第2面之间的阶梯面,所述支承体具有支承面和腔部,所述支承面与所述第2面接合,隔着所述切口部露出到所述第1面侧,所述腔部与所述支承面相邻设置,隔着所述压电基板而与所述IDT电极相对。
地址 日本东京都