发明名称 |
单片式点火器和内燃机点火装置 |
摘要 |
本发明提供一种单片式点火器,能够实现动作电压的低电压化、高噪声容量化、小型化和低成本化。使MOS晶体管的栅极阈值电压(Vtgh)降低,使电流限制电路、过热检测电路、计时器电路、过电压保护电路和输入滞后电路等的动作电压成为低电压,能够使单片式点火器(100)的动作电压低电压化。使MOS晶体管的有效栅极阈值电压为1V以上,上述MOS晶体管的沟道长度为4μm以下。此外,使MOS晶体管的栅极氧化膜的厚度为5nm以上、不足25nm。 |
申请公布号 |
CN103527381A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310276948.5 |
申请日期 |
2013.07.03 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
石井宪一 |
分类号 |
F02P3/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
F02P3/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种单片式点火器,其在同一个半导体衬底配置有MOS晶体管、与该MOS晶体管的栅极电连接的栅极端子、限制该MOS晶体管的栅极电压的控制电路,该单片式点火器的特征在于:对所述单片式点火器的栅极端子输入的输入电压,成为所述控制电路的电源电压和所述MOS晶体管的控制信号,所述输入电压的最低电压不足3.5V。 |
地址 |
日本川崎市 |