发光器件

摘要

公开了一种发光器件，其包括：安装基板和LED芯片，所述LED芯片包括：n-型氮化物半导体层、氮化物发光层、p-型氮化物半导体层、阳电极和阴电极。所述氮化物发光层设置在n-型氮化物半导体层上。所述p-型氮化物半导体层设置在氮化物发光层上。从p-型氮化物半导体层观察时，阳电极位于氮化物发光层的相反侧。阴电极设置在n-型氮化物半导体层上。安装基板的导体图案通过凸点与阴电极和阳电极接合。LED芯片具有电介质层。所述电介质层形成为至少一个岛并且位于p-型氮化物半导体层和阳电极之间。p-型氮化物半导体层具有与凸点交叠的第一区域。电介质层不形成于第一区域内。

主权项

一种发光器件，包括：LED芯片和安装基板，所述LED芯片包括：n‑型氮化物半导体层、氮化物发光层、p‑型氮化物半导体层、阳电极和阴电极，所述n‑型氮化物半导体层具有第一表面，所述氮化物发光层设置在所述n‑型氮化物半导体层的所述第一表面上，所述p‑型氮化物半导体层设置在所述氮化物发光层上，所述阳电极从所述p‑型氮化物半导体层观察时位于所述氮化物发光层的相反侧，所述阴电极设置在所述n‑型氮化物半导体层的所述第一表面上，所述安装基板构建为安装所述LED芯片，所述安装基板具有多个图案化导体，其通过凸点与所述阴电极接合，并分别通过多个凸点与所述阳电极接合，所述LED芯片包括多个具有岛状结构的电介质层，所述电介质层的折射率小于所述p‑型氮化物半导体层的折射率，所述电介质层位于p‑型氮化物半导体层和所述阳电极之间，所述p‑型氮化物半导体层具有与连接至所述阳电极的所述多个凸点中的每一个交叠的多个第一区域，和所述多个电介质层不与所述多个第一区域交叠。