发明名称 一种基于虚拟RAM的面向多通道芯片的验证平台和验证方法
摘要 本发明公开了一种基于虚拟RAM的面向多通道芯片的验证平台和验证方法,验证平台包括采用参数化定义的虚拟RAM和真实RAM,虚拟RAM上具有虚拟接口,所述虚拟接口与真实RAM连接并监控真实RAM。验证方法,包括以下步骤:1)验证平台监测的待测设计向真实RAM进行数据写入操作;2)多通道芯片中的数据通过虚拟接口存储到虚拟RAM中;3)验证平台直接从虚拟RAM中读取数据。本发明的验证平台需要从虚拟RAM中读取数据时,可以直接对其中的RAM数据进行调用。这样的调用方法由于不需要模拟读写的接口时序,因此不会占用仿真时间,从而提高了仿真效率。
申请公布号 CN103530166A 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN201310446686.2 申请日期 2013.09.26
申请人 中国航天科工集团第三研究院第八三五七研究所 发明人 杨阳;朱天成;郑炜;李鑫;鲁毅
分类号 G06F9/455(2006.01)I 主分类号 G06F9/455(2006.01)I
代理机构 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 代理人 符彦慈
主权项 一种基于虚拟RAM的面向多通道芯片的验证平台,其特征在于,包括采用参数化定义的虚拟RAM和真实RAM,虚拟RAM上具有虚拟接口,所述虚拟接口与真实RAM连接并监控真实RAM。
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