发明名称 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法
摘要 本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法,方法包括如下步骤:在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层;获得分布布拉格反馈区及相位区材料,其带隙波长小于激光器发光波长;在反馈区制作光栅;在整个管芯表面生长包层和电接触层材料;在反馈区、相位区及增益区的包层及电接触层上制作倒台浅脊波导结构,其波导侧壁为(111)A晶面;在电接触层上刻蚀电隔离沟,同时对隔离沟进行离子注入,在增益区和相区、相位区和反馈区之间实现电隔离。本发明在提高注入载流子浓度的同时保证反馈区具有较低的串联电阻,有利于增大器件波长调谐范围及提高波长调谐灵敏度。
申请公布号 CN103532014A 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN201310529374.8 申请日期 2013.10.31
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 梁松;张灿;于立强;赵玲娟;朱洪亮;吉晨;王圩
分类号 H01S5/22(2006.01)I;H01S5/125(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I 主分类号 H01S5/22(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种分布布拉格反馈可调谐激光器,其在垂直方向上为叠层结构,其自下至上依次包括衬底(4)、下波导层(5)、有源区层(6)、上波导层(7)、包层(8)和电接触层(9),在电接触层(9)上具有P面电极(13),并且,所述分布布拉格反馈可调谐激光器在水平方向包括分布布拉格反馈区(1)、相位区(2)及增益区(3),在所述分布布拉格反馈区(1)的上波导层(7)中具有光栅,其特征在于:在所述分布布拉格反馈区(1)、相位区(2)及增益区(3)的包层(8)及电接触层(9)上具有倒台浅脊波导结构,其波导侧壁为(111)A晶面,所述倒台浅脊波导结构是一个在水平方向延伸的脊形柱,脊形柱的横截面为倒梯形。
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