具有孔隙的磊晶结构及其成长方法

摘要

本发明揭露一种具有孔隙结构的磊晶结构及其成长方法。磊晶成长方法包含以下步骤：形成牺牲层于基材上；图案化牺牲层，以在基材上形成多个间隔排列的凸起物；在裸露部分的基材上磊晶成长第一磊晶层，使第一磊晶层覆盖凸起物的一部分；蚀刻移除凸起物，以形成多个孔隙；以及在第一磊晶层上磊晶成长第二磊晶层，使孔隙被第一磊晶层及第二磊晶层包覆。

主权项

一种具有孔隙结构的磊晶成长方法，其特征在于，包含：提供一基材；形成一牺牲层于该基材上；图案化该牺牲层，并在该基材上形成多个间隔排列的凸起物，并且裸露出所述多个凸起物间的基材表面；在该裸露出的基材上磊晶成长一第一磊晶层，使该第一磊晶层覆盖所述多个凸起物的一部分，并露出每一所述凸起物的顶面；蚀刻移除所述多个凸起物，形成多个露出该基材表面的孔隙；以及在该第一磊晶层上磊晶成长一第二磊晶层，使所述多个孔隙被该第一磊晶层及该第二磊晶层包覆。