| 发明名称 | 高击穿电压LDMOS器件 | ||
| 摘要 | 一个多区域(81、83)横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件（40）有一个绝缘体上半导体(SOI)支撑结构(21)，在其上形成了一个大体上对称、横向内部的第一LDMOS区域(81)以及一个大体上非对称、横向接近边缘的第二LDMOS区域(83)。一个深槽隔离(DTI)壁(60)大体上横向终止所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)。由与所述DTI壁（60）相关联的所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)展示的电场增强以及下层源极-漏极击穿电压(BVDSS)通过在接近所述DTI壁（60）的所述SOI支撑结构(21)中提供一个掺杂SC埋层区域(86)被避免，位于所述横向接近边缘LDMOS区域(83)的一部分下面并且与所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)的一个漏区(31)有相反导电类型。 | ||
| 申请公布号 | CN103531630A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310265326.2 | 申请日期 | 2013.06.28 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 杨宏宁;D·J·布隆伯格;左将凯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种多栅横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件，包括：绝缘体上半导体SOI支撑结构，其上或其上方被放置有至少一个大体上对称的内部LDMOS区域以及至少一个非对称接近边缘LDMOS区域；深槽隔离DTI壁，延伸到所述支撑结构中并且大体上终止所述至少一个接近边缘LDMOS区域；第一导电类型的漏区，接近所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的上表面；以及掺杂SC埋层BL区域，接近所述DTI壁，位于所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的一部分下面，并且具有与所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的所述漏区相反的导电类型。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||