| 发明名称 | 双镶嵌结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制作双镶嵌结构的方法，包括下列步骤。首先，依序形成一介电层、一介电掩模层与一金属掩模层于一基底上。随后，形成多个沟槽开口于金属掩模层中，且部分金属掩模层暴露于沟槽开口的底部。接着，形成多个介层洞开口于介电掩模层中，且部分介电掩模层暴露于介层洞开口的底部。然后，转移沟槽开口以及介层洞开口至介电层中，以形成多个双镶嵌开口。 | ||
| 申请公布号 | CN103531528A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210228957.2 | 申请日期 | 2012.07.03 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李常孝;陈信宇;赖育聪;廖俊雄;蔡世群 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种制作双镶嵌结构的方法，包括：依序形成介电层、介电掩模层与金属掩模层于基底上；形成多个沟槽开口于该金属掩模层中，且部分该金属掩模层暴露于各该多个沟槽开口的底部；形成多个介层洞开口于该介电掩模层中，且部分该介电掩模层暴露于各该多个介层洞开口的底部；以及转移该多个沟槽开口以及该多个介层洞开口至该介电层中，以形成多个双镶嵌开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||