| 发明名称 | 倒梯形替代栅极的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层和多晶硅层，在多晶硅层的表面形成图案化的光阻胶层，图案化光阻胶层所覆盖的区域定义倒梯形替代栅极上表面的宽度；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，脉冲式刻蚀所述多晶硅层形成倒梯形替代栅极；所述脉冲式刻蚀源功率的高电平和偏置功率的低电平处于同一脉冲宽度内；或者源功率的低电平和偏置功率的高电平处于同一脉冲宽度内。采用本发明能够形成理想形状的倒梯形替代栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103531460A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210230815.X | 申请日期 | 2012.07.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王新鹏;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层和多晶硅层，在多晶硅层的表面形成图案化的光阻胶层，图案化光阻胶层所覆盖的区域定义倒梯形替代栅极上表面的宽度；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，脉冲式刻蚀所述多晶硅层形成倒梯形替代栅极；所述脉冲式刻蚀源功率的高电平和偏置功率的低电平处于同一脉冲宽度内；或者源功率的低电平和偏置功率的高电平处于同一脉冲宽度内。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||