| 发明名称 | 一种基于MOSFET的功率驱动电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及机电伺服系统电机驱动技术领域，具体公开了一种基于MOSFET的功率驱动电路。该驱动电路包括光耦合隔离电路、驱动芯片、图腾柱输出电路以及MOSFET管，其中，光耦合隔离电路的输入端接入PWM信号，光耦合隔离电路的输出端与驱动芯片的输入端相连接，驱动芯片的两个输出端分别通过两个镜像对称的图腾柱输出电路连接至相关并联的MOSFET管B和MOSFET管A的栅极，使MOSFET管B和MOSFET管A同时开关。本发明所述的一种基于MOSFET的功率驱动电路使MOSFET在大功率领域的应用成为现实，打破了IGBT在该领域的垄断地位，利用该功率驱动电路，可实现伺服驱动器的小型化、轻质化和低功耗化。 | ||
| 申请公布号 | CN103532357A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210231009.4 | 申请日期 | 2012.07.04 |
| 申请人 | 北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院 | 发明人 | 李旭东;郑再平;黄玉平;王春明;姜丽婷 |
| 分类号 | H02M1/092(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 核工业专利中心 11007 | 代理人 | 高尚梅 |
| 主权项 | 一种基于MOSFET的功率驱动电路，其特征在于：该驱动电路包括光耦合隔离电路（1）、驱动芯片（2）、图腾柱输出电路以及MOSFET管，其中，光耦合隔离电路（1）的输入端接入PWM信号，光耦合隔离电路（1）的输出端与驱动芯片（2）的输入端相连接，驱动芯片（2）的两个输出端分别通过两个镜像对称的图腾柱输出电路连接至相关并联的MOSFET管B（11）和MOSFET管A（10）的栅极，使MOSFET管B（11）和MOSFET管A（10）同时开关。 | ||
| 地址 | 100076 北京市丰台区大红门路1号 | ||