薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示装置制造技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的半导体有源区掺杂离子转变为掺杂半导体有源区时，离子杂质破坏半导体材料的晶格，导致薄膜晶体管性能下降的问题。本发明的薄膜晶体管，其包括栅极、栅极绝缘层、半导体有源区以及与半导体有源区连接的源极、漏极，还包括与所述半导体有源区接触的表面电荷转移层，所述表面电荷转移层用于使所述半导体有源区在不改变晶格结构的情况下产生大量的空穴或电子。本发明的半导体有源区的材料将电荷转移到表面电荷转移层材料中，转变成掺杂半导体有源区，进而使得薄膜晶体管的性能明显提高。

主权项

一种薄膜晶体管，其包括栅极、栅极绝缘层、半导体有源区以及与半导体有源区连接的源极和漏极，其特征在于，还包括与所述半导体有源区接触的表面电荷转移层，所述表面电荷转移层用于使所述半导体有源区在不改变晶格结构的情况下产生大量的空穴或电子。