发明名称 一种集成温度补偿负反馈的芯片结构
摘要 本实用新型公开了一种集成温度补偿负反馈的芯片结构,包括芯片VDD端、芯片GND端、芯片SW端、第一晶体管、第二晶体管、启动电路模块、电源供电模块、逻辑控制模块、驱动模块、以及带温度补偿负反馈模块,其中所述带温度补偿的负反馈模块包括补偿二极管单元(D1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(Rsence)、基准电流源(Iref)和比较器。本实用新型集成了温度补偿负反馈回路,电源芯片的电源系统输出电压Vout稳定,与环境温度和芯片结温相关性大幅减弱;将电源管脚与反馈管脚合并为一个管脚,彻底去除了传统方案中FB管脚失效的可能性,直接降低了芯片生产环节的失效率,可以节省系统元器件,系统成本优势明显。
申请公布号 CN203405753U 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN201320361824.2 申请日期 2013.06.24
申请人 无锡芯朋微电子股份有限公司 发明人 陶平;李海松;易扬波;张立新
分类号 G05F1/567(2006.01)I 主分类号 G05F1/567(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 朱小兵
主权项 一种集成温度补偿负反馈的芯片结构,包括芯片VDD端、芯片GND端、芯片SW端、第一晶体管、第二晶体管、启动电路模块、电源供电模块、逻辑控制模块、驱动模块、以及带温度补偿负反馈模块,其中芯片VDD端分别与带温度补偿负反馈模块、电源供电模块、启动电路模块连接;所述电源供电模块分别与带温度补偿负反馈模块、逻辑控制模块连接;所述逻辑控制模块分别与启动电路模块、带温度补偿负反馈模块、驱动模块连接;所述驱动模块分别与第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极连接;所述启动电路模块、第一晶体管的漏极、第二晶体管的漏极分别与芯片SW端连接;所述第二晶体管的源端与带温度补偿负反馈模块连接;所述第一晶体管的源端与芯片GND端连接;其特征在于:所述带温度补偿的负反馈模块包括补偿二极管单元(D1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(Rsence)、基准电流源(Iref)和比较器,其中补偿二极管单元(D1)的一端与芯片VDD端连接,补偿二极管单元(D1)的另一端与第一电阻(R1)的一端连接;所述第一电阻(R1)的另一端分别与比较器的正端、第二晶体管的源端、第三电阻(Rsence)的一端连接;所述基准电流源(Iref)的一端与电源供电模块连接,基准电流源(Iref)的另一端分别与比较器的负端、第二电阻(R2)的一端连接;所述第二电阻(R2)的另一端和第三电阻(Rsence)的另一端均与芯片VDD端连接。
地址 214028 江苏省无锡市新区长江路21-1号创源大厦(无锡国家集成电路设计园)801-1室