发明名称 |
一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器 |
摘要 |
一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器,属于集成电路领域,本实用新型为解决传统LDO稳压器是通过牺牲降落电压和效率来换取高频电源抑制改善的问题。本实用新型包括第一误差放大器A1、第二误差放大器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、滤波电阻RF、第一滤波电容CF、第二滤波电容CP、第一native NMOS晶体管MNA1、第二native NMOS晶体管MNA2和PMOS晶体管MP;第一误差放大器A1同相输入端连接参考电压VREF的输出端,第二native NMOS晶体管MNA2源极为LDO稳压器第一输出节点VOUT;第二误差放大器A2同相输入端连接第二输出节点VOUT_P。 |
申请公布号 |
CN203405752U |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201320562128.8 |
申请日期 |
2013.09.11 |
申请人 |
福建一丁芯光通信科技有限公司 |
发明人 |
李景虎;张远燚;刘德佳 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
张宏威 |
主权项 |
一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器,其特征在于,它包括第一误差放大器A1、第二误差放大器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、滤波电阻RF、第一滤波电容CF、第二滤波电容CP、第一native NMOS晶体管MNA1、第二native NMOS晶体管MNA2和PMOS晶体管MP;第一误差放大器A1的同相输入端连接参考电压VREF的输出端,第一误差放大器A1的反相输入端连接反馈节点VF1,电阻R2和电阻R3的公共节点作为反馈节点VF1;第一误差放大器A1的输出端VO_A1连接第一native NMOS晶体管MNA1的栅极;第一native NMOS晶体管MNA1的漏极连接电源VDD,第一native NMOS晶体管MNA1的源极连接电阻R1的一端;电阻R1的另一端连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接GND;第一误差放大器A1的输出端VO_A1还连接滤波电阻RF的一端,滤波电阻RF的另一端连接第一滤波电容CF的一端,第一滤波电容CF的另一端连接GND;滤波电阻RF和滤波电容CF的公共端VF连接第二native NMOS晶体管MNA2的栅极,第二native NMOS晶体管MNA2的漏极连接电源VDD;第二native NMOS晶体管MNA2的源极为LDO稳压器第一输出节点VOUT;电阻R1和电阻R2的公共节点连接第二误差放大器A2的反相输入端,第二误差放大器A2的同相输入端连接第二输出节点VOUT_P,第二误差放大器A2的输出端VO_A2同时连接PMOS晶体管MP的栅极和第二滤波电容CP的一端,第二滤波电容CP的另一端连接PMOS晶体管MP的漏极,PMOS晶体管MP的源极连接LDO稳压器第一输出节点VOUT。 |
地址 |
350003 福建省福州市鼓楼区软件大道89号软件园A区31号楼 |