转换LED

摘要

本发明涉及一种转换LED，其具有在420nm以下的短波区域内的初级发射，使用直接施加在初级光源表面上的荧光材料，所述荧光材料基于已知的BAM:Eu。通过至少52％的高Eu含量作为活化剂代替Ba来实现很多特性的改善。荧光材料层的层厚度为最多50μm。

主权项

一种转换LED，其具有在420nm以下的短波辐射范围内发射的初级光源以及布置在所述光源之前的由BAM体系作为主晶格的荧光材料，所述荧光材料用于将所述光源的辐射至少部分转换成长波辐射，其特征在于，BAM荧光材料作为层厚度最高为50μm的薄层直接施加在所述光源的表面上，其中所述BAM荧光材料的化学计量为MxEu1‑xMg1+dAl10+2fO17+d+3f，其中0.2≤x≤0.48；0≤d≤0.1；‑0.1≤f≤1.0，其中M为单独的Ba、或者M为Ba并且Ba根据化学式Bag(Ca，Sr)1‑g部分地通过Sr和/或Ca来取代，其中g≥0.7。