CuInS₂薄膜太阳能电池吸收层的制备方法

摘要

CuInS2薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，它涉及太阳能电池吸收层的制备方法。本发明要解决目前制备CuInS2薄膜太阳能电池吸收层成本高，不能制备大面积的薄膜，且原材料的利用率不高的问题。本发明的方法如下：一，对基底进行清洗；二、取10mmol·L-1的CuSO4，7.5mmol·L-1的In2(SO4)3，60mmol·L-1的Na2S2O3和8.5mmol·L-1的C6H5O7Na3配制成电解液，对基底进行电沉积；三、对基底进行热处理。本发明采用电化学沉积法制备出产业化的非真空、低成本CIS2薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。

主权项

CuInS2薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：一、将基底依次采用质量百分含量为50%的盐酸，丙酮、无水乙醇进行超声清洗20～40min后，采用蒸馏水清洗基底，备用；二、电沉积CuInS2薄膜：取8～12mmol·L‑1的CuSO4，7～8mmol·L‑1的In2(SO4)3，55～65mmol·L‑1的Na2S2O3和8～9mmol·L‑1的C6H5O7Na3配制成电解液，并调节电解液pH值至4，然后将步骤一清洗后的基底置于装有电解液的双极电解槽中，进行电沉积处理30～60min后取出基底，用蒸馏水洗净，吹干；三、将步骤二电沉积后的基底置于充满氮气的管式电阻炉中，在300～400℃条件下热处理30～60min后，即得CuInS2薄膜太阳能电池吸收层。